Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ASPI-F1030-R82M-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 25 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.1mOhm Max, Gehäusegröße Surface Mount. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-F1030-R82M-T.
ASPI-F1030-R82M-T hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
ASPI-F1030-R82M-T ist für 25 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
ASPI-F1030-R82M-T hat einen DC-Widerstand von 4.1mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
ASPI-F1030-R82M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Surface Mount. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 25 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 4.1mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 32A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Gehäuse / Größe | Surface Mount |
| Gehäuse / Ausführung | Surface Mount |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 25A 4.1 MOHM SMD |
| Serie | ASPI-F1030 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Alloy Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Hersteller-Gehäuse | Nonstandard |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.469" L x 0.433" W (11.90mm x 11.00mm) |
| Merkmale | 0.122" (3.10mm) |
