ASPI-U252010-R33M-T

ASPI-U252010-R33M-T

Abracon

Nonstandard, 2 Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ASPI-U252010-R33M-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 nH, Nennstrom 4.40 A Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 25 mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard, 2 Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
330 nH
Nennstrom
4.40 A Max
DC-Widerstand (DCR)
25 mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-U252010-R33M-T.

Induktivität
330 nH

ASPI-U252010-R33M-T hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.40 A Max

ASPI-U252010-R33M-T ist für 4.40 A Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
25 mOhm Max

ASPI-U252010-R33M-T hat einen DC-Widerstand von 25 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard, 2 Lead

ASPI-U252010-R33M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 2 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität330 nH
Toleranz±20%
Nennstrom4.40 A Max
DC-Widerstand (DCR)25 mOhm Max
Sättigungsstrom6.00 A Max
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard, 2 Lead
Gehäuse / AusführungNonstandard, 2 Lead
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 330NH SURFACE MOUNT
SerieASPI-U
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz117 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)

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