Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ASPIAIG-QLR5050-8R2M-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 6.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 32.5mOhm Max, Gehäusegröße Surface Mount. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPIAIG-QLR5050-8R2M-T.
ASPIAIG-QLR5050-8R2M-T hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
ASPIAIG-QLR5050-8R2M-T ist für 6.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
ASPIAIG-QLR5050-8R2M-T hat einen DC-Widerstand von 32.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
ASPIAIG-QLR5050-8R2M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Surface Mount. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 6.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 32.5mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 6.1A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Gehäuse / Größe | Surface Mount |
| Gehäuse / Ausführung | Surface Mount |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 6.1A 32.5 MOHM |
| Serie | ASPIAIG-QLR5050 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Alloy Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Hersteller-Gehäuse | Nonstandard |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.236" L x 0.224" W (6.00mm x 5.70mm) |
| Merkmale | 0.197" (5.00mm) |
