Beschreibung
FIXED IND 2.2UH 1.8A 80 MOHM SMD
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVF002520122R2M00.
AWVF002520122R2M00 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AWVF002520122R2M00 ist für 1.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AWVF002520122R2M00 hat einen DC-Widerstand von 80mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AWVF002520122R2M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm |
| Sättigungsstrom | 1.8A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 1.8A 80 MOHM SMD |
| Serie | AWVF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | - |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | - |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.049" (1.25mm) |
| Merkmale | - |
