AWVH002520102R2TH1
Pulse Electronics
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AWVH002520102R2TH1 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 1.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 135mOhm, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVH002520102R2TH1.
AWVH002520102R2TH1 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AWVH002520102R2TH1 ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AWVH002520102R2TH1 hat einen DC-Widerstand von 135mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AWVH002520102R2TH1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 1.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 135mOhm |
| Sättigungsstrom | 1.4A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 1.1A 135 MOHM |
| Serie | AWVH |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
