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AWVS00808040121T00

AWVS00808040121T00

Pulse Electronics

3131 (8080 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120UH 800MA 425 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
425mOhm
Abmessungen
0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVS00808040121T00.

Induktivität
120 µH

AWVS00808040121T00 hat eine Induktivität von 120 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

AWVS00808040121T00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
425mOhm

AWVS00808040121T00 hat einen DC-Widerstand von 425mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3131 (8080 Metric)

AWVS00808040121T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3131 (8080 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität120 µH
Toleranz±30%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)425mOhm
Sättigungsstrom950mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / Größe3131 (8080 Metric)
Gehäuse / Ausführung3131 (8080 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 120UH 800MA 425 MOHM
SerieAWVS
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3131
Höhe - sitzend (max.)0.165" (4.20mm)
Merkmale-

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