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AWVS00808040330T00

AWVS00808040330T00

Pulse Electronics

3131 (8080 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 33UH 1.7A 110 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
1.7 A
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm
Abmessungen
0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVS00808040330T00.

Induktivität
33 µH

AWVS00808040330T00 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.7 A

AWVS00808040330T00 ist für 1.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

AWVS00808040330T00 hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3131 (8080 Metric)

AWVS00808040330T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3131 (8080 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±30%
Nennstrom1.7 A
DC-Widerstand (DCR)110mOhm
Sättigungsstrom2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / Größe3131 (8080 Metric)
Gehäuse / Ausführung3131 (8080 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 33UH 1.7A 110 MOHM SMD
SerieAWVS
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3131
Höhe - sitzend (max.)0.165" (4.20mm)
Merkmale-

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