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AWVT002520102R2M00

AWVT002520102R2M00

Pulse Electronics

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 1.3A 135 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.3 A
DC-Widerstand (DCR)
135mOhm
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVT002520102R2M00.

Induktivität
2.2 µH

AWVT002520102R2M00 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.3 A

AWVT002520102R2M00 ist für 1.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
135mOhm

AWVT002520102R2M00 hat einen DC-Widerstand von 135mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

AWVT002520102R2M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.3 A
DC-Widerstand (DCR)135mOhm
Sättigungsstrom1.2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.3A 135 MOHM
SerieAWVT
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.040" (1.02mm)
Merkmale-

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