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AWVT00252010R68T00

AWVT00252010R68T00

Pulse Electronics

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 680NH 1.9A 50 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
1.9 A
DC-Widerstand (DCR)
50mOhm
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVT00252010R68T00.

Induktivität
680 nH

AWVT00252010R68T00 hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.9 A

AWVT00252010R68T00 ist für 1.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
50mOhm

AWVT00252010R68T00 hat einen DC-Widerstand von 50mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

AWVT00252010R68T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität680 nH
Toleranz±30%
Nennstrom1.9 A
DC-Widerstand (DCR)50mOhm
Sättigungsstrom2.1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 680NH 1.9A 50 MOHM SMD
SerieAWVT
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.040" (1.02mm)
Merkmale-

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