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AWVT00252012R47T00

AWVT00252012R47T00

Pulse Electronics

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 470NH 2.7A 27 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
470 nH
Nennstrom
2.7 A
DC-Widerstand (DCR)
27mOhm
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVT00252012R47T00.

Induktivität
470 nH

AWVT00252012R47T00 hat eine Induktivität von 470 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.7 A

AWVT00252012R47T00 ist für 2.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
27mOhm

AWVT00252012R47T00 hat einen DC-Widerstand von 27mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

AWVT00252012R47T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität470 nH
Toleranz±30%
Nennstrom2.7 A
DC-Widerstand (DCR)27mOhm
Sättigungsstrom3.3A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 470NH 2.7A 27 MOHM SMD
SerieAWVT
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.049" (1.25mm)
Merkmale-

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