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AWVT008080403R3M00

AWVT008080403R3M00

Pulse Electronics

3131 (8080 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 5.2A 17 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
5.2 A
DC-Widerstand (DCR)
17mOhm
Abmessungen
0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVT008080403R3M00.

Induktivität
3.3 µH

AWVT008080403R3M00 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
5.2 A

AWVT008080403R3M00 ist für 5.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
17mOhm

AWVT008080403R3M00 hat einen DC-Widerstand von 17mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3131 (8080 Metric)

AWVT008080403R3M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3131 (8080 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom5.2 A
DC-Widerstand (DCR)17mOhm
Sättigungsstrom7.1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / Größe3131 (8080 Metric)
Gehäuse / Ausführung3131 (8080 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 5.2A 17 MOHM SMD
SerieAWVT
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3131
Höhe - sitzend (max.)0.165" (4.20mm)
Merkmale-

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