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AWVT008080406R8T00

AWVT008080406R8T00

Pulse Electronics

3131 (8080 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 4.3A 29 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
4.3 A
DC-Widerstand (DCR)
29mOhm
Abmessungen
0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVT008080406R8T00.

Induktivität
6.8 µH

AWVT008080406R8T00 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.3 A

AWVT008080406R8T00 ist für 4.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
29mOhm

AWVT008080406R8T00 hat einen DC-Widerstand von 29mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3131 (8080 Metric)

AWVT008080406R8T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3131 (8080 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±30%
Nennstrom4.3 A
DC-Widerstand (DCR)29mOhm
Sättigungsstrom5.1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / Größe3131 (8080 Metric)
Gehäuse / Ausführung3131 (8080 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 4.3A 29 MOHM SMD
SerieAWVT
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3131
Höhe - sitzend (max.)0.165" (4.20mm)
Merkmale-

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