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B1047AS-3R6N=P3

muRata

SMD,7.6x7.6mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B1047AS-3R6N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.6uH, Nennstrom 4.4A, Gleichstromwiderstand (DCR) 23 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,7.6x7.6mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.6uH
Nennstrom
4.4A
DC-Widerstand (DCR)
23 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B1047AS-3R6N=P3.

Induktivität
3.6uH

B1047AS-3R6N=P3 hat eine Induktivität von 3.6uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.4A

B1047AS-3R6N=P3 ist für 4.4A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
23 mOhm Max

B1047AS-3R6N=P3 hat einen DC-Widerstand von 23 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,7.6x7.6mm

B1047AS-3R6N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,7.6x7.6mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität3.6uH
Toleranz±30%
Nennstrom4.4A
DC-Widerstand (DCR)23 mOhm Max
Sättigungsstrom5A
Gehäuse / GrößeSMD,7.6x7.6mm
Gehäuse / AusführungSMD,7.6x7.6mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 3.6uH, ±30%, Rated current: 4.4A, Saturation current: 5A, Case: SMD,7.6x7.6mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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