Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B1135AS-100M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Gehäusegröße SMD,8.4x8.3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B1135AS-100M=P3.
B1135AS-100M=P3 hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B1135AS-100M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,8.4x8.3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von B1135AS-100M=P3 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 10uH |
| Toleranz | ±20% |
| Gehäuse / Größe | SMD,8.4x8.3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,8.4x8.3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 10uH, ±20%, Case: SMD,8.4x8.3mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |