Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B1135AS-1R0N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Gehäusegröße SMD,8.4x8.3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B1135AS-1R0N=P3.
B1135AS-1R0N=P3 hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B1135AS-1R0N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,8.4x8.3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±30% |
| Gehäuse / Größe | SMD,8.4x8.3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,8.4x8.3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1uH, ±30%, Case: SMD,8.4x8.3mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |