Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B1135AS-330M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33uH, Nennstrom 1.9A, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B1135AS-330M=P3.
B1135AS-330M=P3 hat eine Induktivität von 33uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B1135AS-330M=P3 ist für 1.9A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B1135AS-330M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von B1135AS-330M=P3 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 33uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.9A |
| Sättigungsstrom | 1.8A |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 33uH, ±20%, Rated current: 1.9A, Saturation current: 1.8A, Case: 2-SMD |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
