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B1135AS-470M=P3

muRata

2-SMD
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B1135AS-470M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 47uH, Nennstrom 1.6A, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
47uH
Nennstrom
1.6A

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B1135AS-470M=P3.

Induktivität
47uH

B1135AS-470M=P3 hat eine Induktivität von 47uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.6A

B1135AS-470M=P3 ist für 1.6A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

B1135AS-470M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität47uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.6A
Sättigungsstrom1.5A
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 47uH, ±20%, Rated current: 1.6A, Saturation current: 1.5A, Case: 2-SMD
Typ / AufbauPower Inductor

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