Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BDQQ00201212R11MPA von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 110 nH, Nennstrom 9.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 5.8mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BDQQ00201212R11MPA.
BDQQ00201212R11MPA hat eine Induktivität von 110 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BDQQ00201212R11MPA ist für 9.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BDQQ00201212R11MPA hat einen DC-Widerstand von 5.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BDQQ00201212R11MPA verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 110 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 9.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 5.8mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 11A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 110NH 9.5A 5.8 MOHM |
| Serie | BDQQ |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
