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BKPB002016102R2MA2

BKPB002016102R2MA2

Pulse Electronics

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BKPB002016102R2MA2 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 130mOhm Max, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1 A
DC-Widerstand (DCR)
130mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BKPB002016102R2MA2.

Induktivität
2.2 µH

BKPB002016102R2MA2 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1 A

BKPB002016102R2MA2 ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
130mOhm Max

BKPB002016102R2MA2 hat einen DC-Widerstand von 130mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

BKPB002016102R2MA2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1 A
DC-Widerstand (DCR)130mOhm Max
Sättigungsstrom400mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1A 130 MOHM SMD
SerieBKPB
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz3 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)

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