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BMMA00050530R82MV1

BMMA00050530R82MV1

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 9.3A 11.9 MOHM

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
9.3 A
DC-Widerstand (DCR)
11.9mOhm Max
Abmessungen
0.216" L x 0.204" W (5.49mm x 5.18mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BMMA00050530R82MV1.

Induktivität
820 nH

BMMA00050530R82MV1 hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
9.3 A

BMMA00050530R82MV1 ist für 9.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
11.9mOhm Max

BMMA00050530R82MV1 hat einen DC-Widerstand von 11.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BMMA00050530R82MV1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±20%
Nennstrom9.3 A
DC-Widerstand (DCR)11.9mOhm Max
Sättigungsstrom13A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.216" L x 0.204" W (5.49mm x 5.18mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 820NH 9.3A 11.9 MOHM
SerieBMMA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.118" (3.00mm)
Merkmale-

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