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BMMS00131360330MX2

BMMS00131360330MX2

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BMMS00131360330MX2 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 µH, Nennstrom 4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 75mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
4 A
DC-Widerstand (DCR)
75mOhm Max
Abmessungen
0.559" L x 0.496" W (14.20mm x 12.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BMMS00131360330MX2.

Induktivität
33 µH

BMMS00131360330MX2 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4 A

BMMS00131360330MX2 ist für 4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
75mOhm Max

BMMS00131360330MX2 hat einen DC-Widerstand von 75mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BMMS00131360330MX2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4 A
DC-Widerstand (DCR)75mOhm Max
Sättigungsstrom6A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.559" L x 0.496" W (14.20mm x 12.60mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 33UH 4A 75 MOHM SMD
SerieBMMS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.236" (6.00mm)

Vorschau

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