Meine Favoriten
BPAS000808451R0T00

BPAS000808451R0T00

Pulse Electronics

Nonstandard
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BPAS000808451R0T00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 11 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 9mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
11 A
DC-Widerstand (DCR)
9mOhm Max
Abmessungen
0.374" L x 0.295" W (9.50mm x 7.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BPAS000808451R0T00.

Induktivität
1 µH

BPAS000808451R0T00 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
11 A

BPAS000808451R0T00 ist für 11 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
9mOhm Max

BPAS000808451R0T00 hat einen DC-Widerstand von 9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BPAS000808451R0T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von BPAS000808451R0T00 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom11 A
DC-Widerstand (DCR)9mOhm Max
Sättigungsstrom8.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.374" L x 0.295" W (9.50mm x 7.50mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 1UH 11A 9 MOHM SMD
SerieBPAS
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.177" (4.50mm)

Vorschau

PDF öffnen