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BPDR000505302R2M00

BPDR000505302R2M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 2.04A 31.3 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
2.04 A
DC-Widerstand (DCR)
31.3mOhm Max
Abmessungen
0.185" L x 0.185" W (4.70mm x 4.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BPDR000505302R2M00.

Induktivität
2.2 µH

BPDR000505302R2M00 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.04 A

BPDR000505302R2M00 ist für 2.04 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
31.3mOhm Max

BPDR000505302R2M00 hat einen DC-Widerstand von 31.3mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BPDR000505302R2M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.04 A
DC-Widerstand (DCR)31.3mOhm Max
Sättigungsstrom2.04A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.185" L x 0.185" W (4.70mm x 4.70mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 2.04A 31.3 MOHM
SerieBPDx
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.118" (3.00mm)
Merkmale-

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