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BPRR001010412R2MA0

BPRR001010412R2MA0

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 8.2A 7.2 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
8.2 A
DC-Widerstand (DCR)
7.2mOhm Max
Abmessungen
0.398" L x 0.394" W (10.10mm x 10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BPRR001010412R2MA0.

Induktivität
2.2 µH

BPRR001010412R2MA0 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
8.2 A

BPRR001010412R2MA0 ist für 8.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7.2mOhm Max

BPRR001010412R2MA0 hat einen DC-Widerstand von 7.2mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BPRR001010412R2MA0 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom8.2 A
DC-Widerstand (DCR)7.2mOhm Max
Sättigungsstrom10.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.398" L x 0.394" W (10.10mm x 10.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 8.2A 7.2 MOHM
SerieBPRR
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.161" (4.10mm)
Merkmale-

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