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BPRR001010418R2T00

BPRR001010418R2T00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 4.2A 30 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
4.2 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max
Abmessungen
0.398" L x 0.394" W (10.10mm x 10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BPRR001010418R2T00.

Induktivität
8.2 µH

BPRR001010418R2T00 hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.2 A

BPRR001010418R2T00 ist für 4.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max

BPRR001010418R2T00 hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BPRR001010418R2T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±30%
Nennstrom4.2 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm Max
Sättigungsstrom4.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.398" L x 0.394" W (10.10mm x 10.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 4.2A 30 MOHM SMD
SerieBPRR
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.161" (4.10mm)
Merkmale-

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