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BPSC000505308R2TS0

BPSC000505308R2TS0

Pulse Electronics

Nonstandard
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BPSC000505308R2TS0 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 117.5mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
DC-Widerstand (DCR)
117.5mOhm Max
Abmessungen
0.185" L x 0.185" W (4.70mm x 4.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BPSC000505308R2TS0.

Induktivität
8.2 µH

BPSC000505308R2TS0 hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
117.5mOhm Max

BPSC000505308R2TS0 hat einen DC-Widerstand von 117.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BPSC000505308R2TS0 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±30%
DC-Widerstand (DCR)117.5mOhm Max
Sättigungsstrom1.04A
Betriebstemperatur-30°C ~ 100°C
Abmessungen0.185" L x 0.185" W (4.70mm x 4.70mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 117.5 MOHM SMD
SerieBPSC
ProduktstatusActive
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118" (3.00mm)

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