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BPSF000707303R3M00

BPSF000707303R3M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 23 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
23mOhm Max
Abmessungen
0.276" L x 0.276" W (7.00mm x 7.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BPSF000707303R3M00.

Induktivität
3.3 µH

BPSF000707303R3M00 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

BPSF000707303R3M00 ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
23mOhm Max

BPSF000707303R3M00 hat einen DC-Widerstand von 23mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BPSF000707303R3M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)23mOhm Max
Sättigungsstrom1.8A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.276" L x 0.276" W (7.00mm x 7.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 23 MOHM SMD
SerieBPSF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.126" (3.20mm)
Merkmale-

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