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BRL3225TR51M

BRL3225TR51M

Taiyo Yuden

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BRL3225TR51M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 510 nH, Nennstrom 2.55 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 37.7mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
510 nH
Nennstrom
2.55 A
DC-Widerstand (DCR)
37.7mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BRL3225TR51M.

Induktivität
510 nH

BRL3225TR51M hat eine Induktivität von 510 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.55 A

BRL3225TR51M ist für 2.55 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
37.7mOhm Max

BRL3225TR51M hat einen DC-Widerstand von 37.7mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

BRL3225TR51M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität510 nH
Toleranz±20%
Nennstrom2.55 A
DC-Widerstand (DCR)37.7mOhm Max
Sättigungsstrom3.6A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 510NH 2.55A 37.7 MOHM
SerieBR
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz270MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.067" (1.70mm)

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