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BSCL00160808R33M00

BSCL00160808R33M00

Pulse Electronics

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 330NH 35MA 850 MOHM

Technische Daten

Induktivität
330 nH
Nennstrom
35 mA
DC-Widerstand (DCR)
850mOhm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSCL00160808R33M00.

Induktivität
330 nH

BSCL00160808R33M00 hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
35 mA

BSCL00160808R33M00 ist für 35 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
850mOhm Max

BSCL00160808R33M00 hat einen DC-Widerstand von 850mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

BSCL00160808R33M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität330 nH
Toleranz±20%
Nennstrom35 mA
DC-Widerstand (DCR)850mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 330NH 35MA 850 MOHM
SerieBSCL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz125MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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