Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BSCL00201209R56M00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 750mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSCL00201209R56M00.
BSCL00201209R56M00 hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BSCL00201209R56M00 ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BSCL00201209R56M00 hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BSCL00201209R56M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von BSCL00201209R56M00 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 560 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 150 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 750mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 560NH 150MA 750 MOHM |
| Serie | BSCL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 25 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 115MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.043" (1.10mm) |