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BSCL00201209R82K00

BSCL00201209R82K00

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 150MA 1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSCL00201209R82K00.

Induktivität
820 nH

BSCL00201209R82K00 hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

BSCL00201209R82K00 ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max

BSCL00201209R82K00 hat einen DC-Widerstand von 1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

BSCL00201209R82K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±10%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 820NH 150MA 1 OHM SMD
SerieBSCL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.043" (1.10mm)
Merkmale-

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