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BSCL003216112R7M00

BSCL003216112R7M00

Pulse Electronics

1206 (3216 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BSCL003216112R7M00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 µH, Nennstrom 60 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 600mOhm Max, Gehäusegröße 1206 (3216 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
60 mA
DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSCL003216112R7M00.

Induktivität
2.7 µH

BSCL003216112R7M00 hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
60 mA

BSCL003216112R7M00 ist für 60 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max

BSCL003216112R7M00 hat einen DC-Widerstand von 600mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206 (3216 Metric)

BSCL003216112R7M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206 (3216 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität2.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom60 mA
DC-Widerstand (DCR)600mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe1206 (3216 Metric)
Gehäuse / Ausführung1206 (3216 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.7UH 60MA 600 MOHM
SerieBSCL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 10MHz
Eigenresonanzfrequenz45MHz
Induktivitäts-Testfrequenz10 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1206
Höhe - sitzend (max.)0.051" (1.30mm)

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