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BSCL00321611R68L00

BSCL00321611R68L00

Pulse Electronics

1206 (3216 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BSCL00321611R68L00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 nH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße 1206 (3216 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSCL00321611R68L00.

Induktivität
680 nH

BSCL00321611R68L00 hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

BSCL00321611R68L00 ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

BSCL00321611R68L00 hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206 (3216 Metric)

BSCL00321611R68L00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206 (3216 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität680 nH
Toleranz±15%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe1206 (3216 Metric)
Gehäuse / Ausführung1206 (3216 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 680NH 150MA 800 MOHM
SerieBSCL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz105MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1206
Höhe - sitzend (max.)0.051" (1.30mm)

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