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BSCQ000603033N3B00

BSCQ000603033N3B00

Pulse Electronics

0201 (0603 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BSCQ000603033N3B00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 nH, Nennstrom 415 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 280mOhm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 nH
Nennstrom
415 mA
DC-Widerstand (DCR)
280mOhm Max
Abmessungen
0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSCQ000603033N3B00.

Induktivität
3.3 nH

BSCQ000603033N3B00 hat eine Induktivität von 3.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
415 mA

BSCQ000603033N3B00 ist für 415 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
280mOhm Max

BSCQ000603033N3B00 hat einen DC-Widerstand von 280mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

BSCQ000603033N3B00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom415 mA
DC-Widerstand (DCR)280mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.3NH 415MA 280 MOHM
SerieBSCQ
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz14 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz8.6GHz
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.013" (0.33mm)

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