BWCS000604040N5K00

BWCS000604040N5K00

Pulse Electronics

0201 (0603 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWCS000604040N5K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.5 nH, Nennstrom 1.25 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 20mOhm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
0.5 nH
Nennstrom
1.25 A
DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max
Abmessungen
0.023" L x 0.018" W (0.58mm x 0.46mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWCS000604040N5K00.

Induktivität
0.5 nH

BWCS000604040N5K00 hat eine Induktivität von 0.5 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.25 A

BWCS000604040N5K00 ist für 1.25 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max

BWCS000604040N5K00 hat einen DC-Widerstand von 20mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

BWCS000604040N5K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität0.5 nH
Toleranz±10%
Nennstrom1.25 A
DC-Widerstand (DCR)20mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.023" L x 0.018" W (0.58mm x 0.46mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 0.5NH 1.25A 20 MOHM
SerieBWCS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz4 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz23.5GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.018" (0.45mm)

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