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BWCS001207076N8J00

BWCS001207076N8J00

Pulse Electronics

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWCS001207076N8J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 nH, Nennstrom 680 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 83mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 nH
Nennstrom
680 mA
DC-Widerstand (DCR)
83mOhm Max
Abmessungen
0.047" L x 0.025" W (1.19mm x 0.64mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWCS001207076N8J00.

Induktivität
6.8 nH

BWCS001207076N8J00 hat eine Induktivität von 6.8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
680 mA

BWCS001207076N8J00 ist für 680 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
83mOhm Max

BWCS001207076N8J00 hat einen DC-Widerstand von 83mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

BWCS001207076N8J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität6.8 nH
Toleranz±5%
Nennstrom680 mA
DC-Widerstand (DCR)83mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.047" L x 0.025" W (1.19mm x 0.64mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantWEC,Pulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 6.8NH 680MA 83 MOHM
SerieBWCS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz4.8GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.026" (0.66mm)

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