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BWCS00493834220J00

BWCS00493834220J00

Pulse Electronics

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWCS00493834220J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 µH, Nennstrom 155 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 11.5Ohm Max, Gehäusegröße 1812 (4532 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
155 mA
DC-Widerstand (DCR)
11.5Ohm Max
Abmessungen
0.195" L x 0.150" W (4.95mm x 3.81mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWCS00493834220J00.

Induktivität
22 µH

BWCS00493834220J00 hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
155 mA

BWCS00493834220J00 ist für 155 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
11.5Ohm Max

BWCS00493834220J00 hat einen DC-Widerstand von 11.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

BWCS00493834220J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±5%
Nennstrom155 mA
DC-Widerstand (DCR)11.5Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.195" L x 0.150" W (4.95mm x 3.81mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 22UH 155MA 11.5 OHM
SerieBWCS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz28 @ 10MHz
Eigenresonanzfrequenz34MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.135" (3.43mm)

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