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BWCS004938342R7J00

BWCS004938342R7J00

Pulse Electronics

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWCS004938342R7J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 µH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.2Ohm Max, Gehäusegröße 1812 (4532 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.2Ohm Max
Abmessungen
0.195" L x 0.150" W (4.95mm x 3.81mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWCS004938342R7J00.

Induktivität
2.7 µH

BWCS004938342R7J00 hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

BWCS004938342R7J00 ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.2Ohm Max

BWCS004938342R7J00 hat einen DC-Widerstand von 3.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

BWCS004938342R7J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität2.7 µH
Toleranz±5%
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)3.2Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.195" L x 0.150" W (4.95mm x 3.81mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.7UH 300MA 3.2 OHM
SerieBWCS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz160MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.135" (3.43mm)

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