Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWCT0023171110NG00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWCT0023171110NG00.
BWCT0023171110NG00 hat eine Induktivität von 10 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BWCT0023171110NG00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BWCT0023171110NG00 hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BWCT0023171110NG00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Similar-specification candidates · Engineering review required
Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.
Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.093" L x 0.068" W (2.35mm x 1.73mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 10NH 800MA 80 MOHM SMD |
| Serie | BWCT |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 55 @ 750MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.3GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 250 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.043" (1.10mm) |