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BWCT00231711R15K00

BWCT00231711R15K00

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWCT00231711R15K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 150 nH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
150 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.093" L x 0.068" W (2.35mm x 1.73mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWCT00231711R15K00.

Induktivität
150 nH

BWCT00231711R15K00 hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

BWCT00231711R15K00 ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

BWCT00231711R15K00 hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

BWCT00231711R15K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität150 nH
Toleranz±10%
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.093" L x 0.068" W (2.35mm x 1.73mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 150NH 300MA 800 MOHM
SerieBWCT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz1.05GHz
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.043" (1.10mm)

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