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BWCT00231711R27K00

BWCT00231711R27K00

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWCT00231711R27K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 270 nH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.3Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
270 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max
Abmessungen
0.093" L x 0.068" W (2.35mm x 1.73mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWCT00231711R27K00.

Induktivität
270 nH

BWCT00231711R27K00 hat eine Induktivität von 270 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

BWCT00231711R27K00 ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max

BWCT00231711R27K00 hat einen DC-Widerstand von 1.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

BWCT00231711R27K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität270 nH
Toleranz±10%
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)1.3Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.093" L x 0.068" W (2.35mm x 1.73mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 270NH 300MA 1.3 OHM
SerieBWCT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz850MHz
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.043" (1.10mm)

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