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BWHP00231715R22J00

BWHP00231715R22J00

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWHP00231715R22J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220 nH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 426mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
220 nH
Nennstrom
500 mA
DC-Widerstand (DCR)
426mOhm Max
Abmessungen
0.093" L x 0.068" W (2.35mm x 1.73mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWHP00231715R22J00.

Induktivität
220 nH

BWHP00231715R22J00 hat eine Induktivität von 220 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA

BWHP00231715R22J00 ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
426mOhm Max

BWHP00231715R22J00 hat einen DC-Widerstand von 426mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

BWHP00231715R22J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität220 nH
Toleranz±5%
Nennstrom500 mA
DC-Widerstand (DCR)426mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.093" L x 0.068" W (2.35mm x 1.73mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 220NH 500MA 426 MOHM
SerieBWHP
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz75 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz930MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.060" (1.52mm)

Vorschau