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BWHP00231715R82G00

BWHP00231715R82G00

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 180MA 3.945 OHM

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
180 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.945Ohm Max
Abmessungen
0.093" L x 0.068" W (2.35mm x 1.73mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWHP00231715R82G00.

Induktivität
820 nH

BWHP00231715R82G00 hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
180 mA

BWHP00231715R82G00 ist für 180 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.945Ohm Max

BWHP00231715R82G00 hat einen DC-Widerstand von 3.945Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

BWHP00231715R82G00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±2%
Nennstrom180 mA
DC-Widerstand (DCR)3.945Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.093" L x 0.068" W (2.35mm x 1.73mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 820NH 180MA 3.945 OHM
SerieBWHP
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz485MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.060" (1.52mm)
Merkmale-

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