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BWHQ0023181648NG00

BWHQ0023181648NG00

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 48NH 1.2A 110 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
48 nH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max
Abmessungen
0.090" L x 0.071" W (2.29mm x 1.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWHQ0023181648NG00.

Induktivität
48 nH

BWHQ0023181648NG00 hat eine Induktivität von 48 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

BWHQ0023181648NG00 ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max

BWHQ0023181648NG00 hat einen DC-Widerstand von 110mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

BWHQ0023181648NG00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität48 nH
Toleranz±2%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)110mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.090" L x 0.071" W (2.29mm x 1.80mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 48NH 1.2A 110 MOHM SMD
SerieBWHQ
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz65 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz1.4GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz200 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.061" (1.55mm)
Merkmale-

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