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BWHQ00493834R22G00

BWHQ00493834R22G00

Pulse Electronics

1812 (4532 Metric)

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWHQ00493834R22G00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220 nH, Nennstrom 940 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm Max, Gehäusegröße 1812 (4532 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
220 nH
Nennstrom
940 mA
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max
Abmessungen
0.195" L x 0.150" W (4.95mm x 3.81mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWHQ00493834R22G00.

Induktivität
220 nH

BWHQ00493834R22G00 hat eine Induktivität von 220 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
940 mA

BWHQ00493834R22G00 ist für 940 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max

BWHQ00493834R22G00 hat einen DC-Widerstand von 110mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

BWHQ00493834R22G00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität220 nH
Toleranz±2%
Nennstrom940 mA
DC-Widerstand (DCR)110mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.195" L x 0.150" W (4.95mm x 3.81mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 220NH 940MA 110 MOHM
SerieBWHQ
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz80 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz700MHz
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.135" (3.43mm)