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BWHQ00493834R33G00

BWHQ00493834R33G00

Pulse Electronics

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 330NH 850MA 135 MOHM

Technische Daten

Induktivität
330 nH
Nennstrom
850 mA
DC-Widerstand (DCR)
135mOhm Max
Abmessungen
0.195" L x 0.150" W (4.95mm x 3.81mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWHQ00493834R33G00.

Induktivität
330 nH

BWHQ00493834R33G00 hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
850 mA

BWHQ00493834R33G00 ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
135mOhm Max

BWHQ00493834R33G00 hat einen DC-Widerstand von 135mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

BWHQ00493834R33G00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität330 nH
Toleranz±2%
Nennstrom850 mA
DC-Widerstand (DCR)135mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.195" L x 0.150" W (4.95mm x 3.81mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 330NH 850MA 135 MOHM
SerieBWHQ
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz80 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz600MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.135" (3.43mm)
Merkmale-

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