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BWLD003025221R5J00

BWLD003025221R5J00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLD003025221R5J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5 µH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 125mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
1 A
DC-Widerstand (DCR)
125mOhm Max
Abmessungen
0.118" L x 0.098" W (2.99mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLD003025221R5J00.

Induktivität
1.5 µH

BWLD003025221R5J00 hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1 A

BWLD003025221R5J00 ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
125mOhm Max

BWLD003025221R5J00 hat einen DC-Widerstand von 125mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

BWLD003025221R5J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±5%
Nennstrom1 A
DC-Widerstand (DCR)125mOhm Max
Sättigungsstrom1.1A
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.118" L x 0.098" W (2.99mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 1A 125 MOHM SMD
SerieBWLD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz22 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz210MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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