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BWLD003025223R3K00

BWLD003025223R3K00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLD003025223R3K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 210mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
210mOhm Max
Abmessungen
0.118" L x 0.098" W (2.99mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLD003025223R3K00.

Induktivität
3.3 µH

BWLD003025223R3K00 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

BWLD003025223R3K00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
210mOhm Max

BWLD003025223R3K00 hat einen DC-Widerstand von 210mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

BWLD003025223R3K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±10%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)210mOhm Max
Sättigungsstrom750mA
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.118" L x 0.098" W (2.99mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 800MA 210 MOHM
SerieBWLD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz21 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz54MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

Vorschau