BWLS00060404R20K00

BWLS00060404R20K00

Pulse Electronics

0201 (0603 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLS00060404R20K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 200 nH, Nennstrom 260 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 950mOhm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
200 nH
Nennstrom
260 mA
DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max
Abmessungen
0.023" L x 0.018" W (0.58mm x 0.46mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLS00060404R20K00.

Induktivität
200 nH

BWLS00060404R20K00 hat eine Induktivität von 200 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
260 mA

BWLS00060404R20K00 ist für 260 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max

BWLS00060404R20K00 hat einen DC-Widerstand von 950mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

BWLS00060404R20K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität200 nH
Toleranz±10%
Nennstrom260 mA
DC-Widerstand (DCR)950mOhm Max
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.023" L x 0.018" W (0.58mm x 0.46mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 200NH 260MA 950 MOHM
SerieBWLS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz9 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz1.4GHz
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.018" (0.45mm)

Vorschau

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