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BWLS00100606R25K00

BWLS00100606R25K00

Pulse Electronics

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLS00100606R25K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 250 nH, Nennstrom 520 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 360mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
250 nH
Nennstrom
520 mA
DC-Widerstand (DCR)
360mOhm Max
Abmessungen
0.040" L x 0.022" W (1.02mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLS00100606R25K00.

Induktivität
250 nH

BWLS00100606R25K00 hat eine Induktivität von 250 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
520 mA

BWLS00100606R25K00 ist für 520 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
360mOhm Max

BWLS00100606R25K00 hat einen DC-Widerstand von 360mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

BWLS00100606R25K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität250 nH
Toleranz±10%
Nennstrom520 mA
DC-Widerstand (DCR)360mOhm Max
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.040" L x 0.022" W (1.02mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 250NH 520MA 360 MOHM
SerieBWLS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz11 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz900MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.026" (0.66mm)

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